A comunicação na forma de poster, intitulada «Study of W and X optical centers in proton irradiated SiGe by photoluminescence and first-principles calculations», da autoria de uma equipa de investigadores da UA (Joaquim P. Leitão, Nuno M. Santos, Amélia O. Ankiewicz, Nikolai A. Sobolev, Rui N. Pereira, José Coutinho, Manuel Barroso) e de outras universidades estrangeiras (Alexandra Carvalho, John L. Hansen, Arne N. Larsen, Robert Jones and Patrick R. Briddon), ganhou, ex-equo, o prémio de melhor poster no simpósio I: Advanced silicon materials research for electronic and photovoltaic applications II, na conferência E-MRS Spring Meeting, que decorreu em Estrasburgo (França), entre 7 e 11 de Junho.
Abstract:
O silício é claramente o semicondutor mais utilizado na indústria electrónica. A elevada taxa de crescimento do desempenho dos dispositivos electrónicos nas últimas décadas coloca uma elevada pressão sobre este material. Um dos caminhos que tem vindo a ser considerado é a utilização da liga silício-germânio. O processo de produção dos dispositivos recorre a diferentes técnicas experimentais das quais se destaca a implantação iónica. Esta técnica permite a introdução controlada, tanto ao nível da concentração como da localização, de elementos químicos no material de base. Um dos efeitos indesejados é a criação de defeitos na rede do silício os quais vão limitar o desempenho dos dispositivos. O presente trabalho centra-se no estudo da dependência das propriedades electrónicas dos defeitos na concentração de germânio na liga. O estudo combinou medidas experimentais de fotoluminescência dependente da temperatura com simulações computacionais baseadas em primeiros princípios.